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测试能力 |
测试产品：GaN HEMT (兼容 Si, SiC 产品) 1. 开关时间测试 测试条件： ID：0A～200A, VDS：0V～1.2kV, VGS：0V～20V, 测试参数: td(on)\ tr\ td(off)\tf\Eon\Eoff\动态RDson 2. 反向恢复特性测试 测试条件：IF: 0A～200A,VR: 0V～1.2kV, di/dt: 5A/us～10kA/us 测试参数: trr:0.1nS-1uS,Qc:1nC~100uC,Irm：0A~200A, Erec：0.1uJ～1mJ 3. 栅极电荷测试 测试条件： VDS:0V～1.2kV，ID: 0A～200A, VGS:0V～20V 测试参数：Qgon、Qgs、Qgd：1nC~100uC，Vpl：0~20V 4. 短路电流测试 测试条件：Pulse width: 1us～100us, VDS: 0V～1.2kV 测试参数： Peak ID: 0A~1000A, Delta Vds: 0V~1.2kV |
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系统特点 |
专注于GaN HEMT功率器件动态参数评测，基于QT开发的人机交互界面，所有测试条件均可界面化输入，系统闭环处理，自动调节实现一键测试； 采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强； 设备带有自动高温加热功能，温度范围：室温~200℃，精度±0.1℃； 结果输出形式：Excel数据，.JPEG格式波形，Excel波形数据，其波形可实现任意放大，缩小细节展宽处理分析； 测试主功率回路寄生电感Ls<16nH(实测); 系统自带通道，钳位电路，采样回路延时校准功能； 系统开发测试标准自定义端口，为产品设计、研发提供便利； |
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客户 |
SiC器件设计、生产厂家；封装厂；实验室 |
