| 专利名称 | 申请号 | 专利类别 | 申请状态 |
|---|---|---|---|
| 一种采用热相变材料进行均流的半导体功率器件 | CN108922878A | 发明 | 授权且有效 |
| 一种GaN HEMT硬开关动态电阻测量电路 | CN115616292A | 发明 | 授权且有效 |
| 一种GaH HEMT软开关动态电阻测量电路 | CN115575713A | 发明 | 授权且有效 |
| 一种功率器件测试用的电压源 | CN209388207U | 实用新型 | 授权且有效 |
| 一种电子束器件 | CN209641619U | 实用新型 | 授权且有效 |
| 一种电子束器件及其制作方法 | CN109887818A | 发明 | 授权且有效 |
| 一种无金属化连线的半导体器件阵列 | CN112420704A | 发明 | 实质审查的生效 |
| 一种堆叠键合式IGBT器件 | CN112420630A | 发明 | 实质审查的生效 |
| 一种GaN HEMT功率器件开关时间测试中栅及震荡优化方法 | CN112285520A | 发明 | 实质审查的生效 |
| 一种双沟道半导体器件 | CN112186037A | 发明 | 实质审查的生效 |
| 一种IGBT背面保护环结构 | CN112133742A | 发明 | 实质审查的生效 |