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测试能力 |
测试产品：SiC FRD,MOSFET(兼容 Si 基产品) 1. 开关时间测试 测试条件： ID：0A～1kA, VDS：0V～3.5kV, VGS：-10V～20V, Rg：手动可调，阻性，感性负载可切换。 测试参数: td(on)\ tr\ td(off)\tf：0.1nS -100uS， Eon\Eoff：10nJ~1000mJ 2. 反向恢复特性测试 测试条件：IF: 0A～1kA,VR: 0V～3.5kV, di/dt: 5A/us～5kA/us 测试参数: trr:0.1nS-100uS,Qc:1nC~1000uC,Irm：0A~1kA, Erec：0.1uJ～10mJ 3. 栅极电荷测试 测试条件： VDS:0V～3.5kV，ID: 0A～1kA, VGS:-10V～20V 测试参数：Qgon、Qgs、Qgd：1nC~1000uC，Vpl：0~20V 4. 短路电流测试 测试条件：Pulse width: 1us～50us, VDS: 0V～3.5kV 测试参数： Peak ID: 10A~1kA, Delta Vds: 5V~3.5kV |
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系统特点 |
专注于SiC功率器件动态参数评测，基于Labview开发的人机交互界面，所有测试条件均可界面化输入，系统闭环处理，自动调节实现一键测试； 采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强； 设备带有自动高温加热功能，温度范围：室温~200℃，精度±0.1℃； 结果输出形式：Excel数据，.JPEG格式波形，Excel波形数据，其波形可实现任意放大，缩小细节展宽处理分析； 测试主功率回路寄生电感Ls<20nH; 栅极驱动电阻Rg端口开放，方便客户按照设定条件匹配电阻； 采用Dual ARM控核，DSP作数据采样计算，极大的减少了控制时延带来的误差； |
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客户 |
SiC器件设计、生产厂家；封装厂；实验室 |
